芯片生產(chǎn)工藝流程12個步驟

芯片生產(chǎn)工藝流程12個步驟，芯片，英文為Chip；芯片組為Chipset。芯片一般是指集成電路的載體，也是集成電路經(jīng)過設(shè)計、制造、封裝、測試后的結(jié)果，通常是一個可以立即使用的獨立的整體。

芯片生產(chǎn)工藝流程12個步驟:

1、硅片的來源：硅片一般是由晶棒進行切割而來，根據(jù)要求切割成硅片薄片。  
2、清洗：芯片在加工前需進行清洗，清洗設(shè)備通常為柵氧化清洗機 和氧化擴散清洗機。 
3、氧化：氧化過程就是把清洗干凈并通過離心甩干的硅片板送入高溫爐管內(nèi)進行退火處理，爐管內(nèi)溫度800-1500 ℃。  
4、淀積：淀積系統(tǒng)就是在硅片表面形成具有良好的臺階覆蓋能力、良好的接觸及均勻的高質(zhì)量金屬薄膜的設(shè)備系統(tǒng)。 
5、光刻：光刻就是在硅片上涂上對紫外光敏感的化學物質(zhì)，當遇紫外光時則變軟。通過控制遮光物的位置得到芯片的外形。即在硅晶片涂上光致蝕劑，使得其遇紫外光就會溶解，在光刻機的曝光作用下，紫外光直射的部分被溶解，這溶解部分接著可用溶劑將其沖走。  
6、刻蝕：刻蝕就是以化學蝕刻的方法或用干法氧化法，去除氮化硅和去掉經(jīng)上幾道工序加工后在硅片表面因加工應(yīng)力而產(chǎn)生的一層損傷層的過程。
7、二次清洗：二次清洗就是將加工完成的硅片需要再次經(jīng)過強酸堿清洗、甩干，去除硅片板上的光刻膠。 
8、離子注入：離子注入就是將刻蝕后的芯片放入大束、中束流注入機將硼離子 （B+3） 透過 SiO2 膜注入襯底，形成 P 型阱；去除氮化硅層，摻雜磷 （P+5） 離子，形成 N 型阱。  

9、快速退火：快速退火就是從離子注入機中取出硅片放入快速退火爐中進行退火處理，去除 SiO2 層。與離子注入工藝根據(jù)需要反復(fù)循環(huán)進行。 
10、蒸鍍：薄膜的沉積方法根據(jù)其用途的不同而不同，厚度通常小于 1um 。分真空蒸發(fā)法和濺鍍法。
11、檢測：檢測就是進行最終全面的檢驗以保證產(chǎn)品最終達到規(guī)定的尺寸、形狀、表面光潔度、平整度等技術(shù)指標。最后將單個的晶粒固定在塑膠或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蝕刻出的一些引接線端與基座底部伸出的插腳連接，以作為與外界電路板連接之用，最后蓋上塑膠蓋板，用膠水封死。 
12、包裝：將成品用柔性材料，分隔、包裹、裝箱，準備發(fā)往訂貨客戶。

通過對芯片生產(chǎn)工藝的熟悉和掌握，使我們對工藝的理解更加深刻，從而使我們對工藝設(shè)備的特殊要求也有了深入的理解。但是，對于有效實施二次配工程尚需對工藝設(shè)備的需求條件清楚且深刻理解和掌握，對于工藝設(shè)備的接入條件以及界面接口形式熟悉和掌握，這樣，才能在保證工程質(zhì)量和安全的條件下，高效、快速的完成二次配工程。

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